H Toshiba ανακοίνωσε πως ανέπτυξε τη δεύτερη γενιά τής κατασκευαστικής μεθόδου των 19 νανομέτρων, την οποία θα χρησιμοποιήσει στην μαζική παραγωγή τσιπ μνήμης NAND τύπου 2-bit-per-cell.
Η εταιρεία κατάφερε να αναπτύξει τα μικρότερα τσιπ μνήμης NAND Flash χωρητικότητας 8GB που υπάρχουν, τα οποία έχουν εμβαδόν μόλις 94 τετραγωνικά χιλιοστά.
Με τη χρήση μιας μοναδικής μεθόδου εγγραφής υψηλής ταχύτητας, οι νέες μνήμες μπορούν να φτάσουν σε απόδοση τα 25 Μegabytes το δευτερόλεπτο, νούμερο που τις καθιστά τις ταχύτερες που υπάρχουν στην κατηγορία τους.
Η Toshiba αναπτύσσει επίσης μνήμες NAND τύπου 3-bit-per-cell σκοπεύοντας να προχωρήσει στην παραγωγή τους τούς επόμενους μήνες. Αρχικά θα παρουσιάσει μνήμες 3-bit multi-level-cell για smartphones και tablets αναπτύσσοντας τον κατάλληλο eMMC controller, και κατόπιν θα επεκτείνει την εφαρμογή τους στα notebooks αναπτύσσοντας έναν ελεγκτή συμβατό με Solid State Drives.
